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400-821-0725

氧化镓,99.99%

产品编号: 1239586 纯度:99.99% CAS:12024-21-4

英文名称:Gallium oxide, 99.99%

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10g ¥ ȷźŤƊƊ -- > 10 -- 2 1 1 ¥ ȷźŤƊƊ - +
25g ¥ ŌȍƥŤƊƊ -- > 10 2 3 -- -- ¥ ŌȍƥŤƊƊ - +
100g ¥ ƲǽŌŤƊƊ -- 2 -- 3 1 1 ¥ ƲǽŌŤƊƊ - +
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检测信息

批次 :
批次纯度 : 99.99%
  • 基本信息
  • 属性
  • 计算化学
  • 参考文献
  • 安全信息

产品编号

1239586

CAS 号

12024-21-4

英文名称

Gallium oxide, 99.99%

中文名称

氧化镓,99.99%

英文别称

oxo-oxogallanyloxy-gallane

中文别称

氧化镓(III);氧化镓 (METALS BASIS)

Smiles Code

O=[Ga][Ga]([O])[O]

MDL 号

分子式

Ga2O3

分子量

187.44

存储条件

Store at room temperature, keep dry and cool

纯度

99.99%

网页展示纯度为入库指导纯度值,各批次间存在一定差异,实际纯度以收货为准

熔点

1740 °C

沸点

闪点

旋光

描述

氧化镓(III)用于真空沉积。它可用于制造半导体器件、镓-氧化铝催化剂、气体传感器、发光磷光体和太阳能电池的介电涂层。用作电介质薄膜中 99.999% 的蒸发材料和溅射靶材。它显示出开发用于紫外光电子器件的深紫外 TCO(透明导电氧化物)和透明电极的潜力。最近的研究报告称,氧化镓可以成为电力电子设备的有力竞争者,例如在超高压电源开关应用中。由氧化镓制成的薄膜由于其气体敏感特性而获得了商业利益,而由氧化镓制成的玻璃是用于先进技术的首选光学材料。
展开

TPSA

57.53

LogP

-1.9944

H_Acceptors

3

H_Donors

2

Rotatable_Bonds

1

[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.

[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.

[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.

[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.

[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.

警示图

警示词

Warning

危险申明

H302-H315-H319-H335

警告申明

P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P321-P330-P337-P362+P364-P403+P233-P405-P501

GHS 编码

GHS07

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质量 (g) = 浓度 (mol/L) × 体积 (L) × 分子量(g/mol)

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