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| 规格 | 目录价格 | 上海 | 安徽 | 武汉 | 成都 | 北方 | 深圳 | 会员价格 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5g | ￥ ôƌŧƌƌ | > 10 | > 10 | -- | 1 | -- | -- | ￥ ôƌŧƌƌ | - + |
| 10g | ￥ NJŲŧƌƌ | > 10 | > 10 | -- | -- | 1 | 1 | ￥ NJŲŧƌƌ | - + |
| 25g | ￥ ýýȏŧƌƌ | > 10 | > 10 | 1 | 3 | -- | -- | ￥ ýýȏŧƌƌ | - + |
| 100g | ￥ ǕǕýŧƌƌ | 6 | > 10 | -- | 2 | -- | -- | ￥ ǕǕýŧƌƌ | - + |
| 500g | ￥ ȏýŲƝŧƌƌ | 1 | 4 | -- | -- | -- | -- | ￥ ȏýŲƝŧƌƌ | - + |
| 1kg | ￥ ǕôŲýŧƌƌ | -- | 2 | -- | -- | -- | -- | ￥ ǕôŲýŧƌƌ | - + |
| 大货 | 请询价 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
产品编号
1239586
CAS 号
12024-21-4
中文名称
氧化镓,99.99%
MDL 号
MFCD00011020
分子量
187.44
存储条件
Store at room temperature, keep dry and cool
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熔点
1740 °C
沸点
闪点
旋光
描述
TPSA
57.53
LogP
-1.9944
H_Acceptors
3
H_Donors
2
Rotatable_Bonds
1
[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.
[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.
[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.
[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.
[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.
警示图
警示词
Warning
危险申明
H302-H315-H319-H335
警告申明
P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P330-P362+P364-P403+P233-P405-P501
GHS 编码
GHS07
1707413 货期咨询
1786436 货期咨询
1786440 货期咨询
现货供应
专业护航
售后无忧
品质保障
无需凑单
沪ICP备17019645号
400-821-0725
