规格 | 目录价格 | 上海 | 安徽 | 武汉 | 成都 | 天津 | 深圳 | 会员价格 | 数量 |
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5g | ¥ ŞƥŤƊƊ | 1 | > 10 | -- | -- | 1 | -- | ¥ ŞƥŤƊƊ | - + |
10g | ¥ ȷźŤƊƊ | -- | > 10 | -- | 2 | 1 | 1 | ¥ ȷźŤƊƊ | - + |
25g | ¥ ŌȍƥŤƊƊ | -- | > 10 | 2 | 3 | -- | -- | ¥ ŌȍƥŤƊƊ | - + |
100g | ¥ ƲǽŌŤƊƊ | -- | 2 | -- | 3 | 1 | 1 | ¥ ƲǽŌŤƊƊ | - + |
500g | ¥ ȍŞůźŤƊƊ | -- | -- | -- | 1 | -- | 1 | ¥ ȍŞůźŤƊƊ | - + |
1000g | 请询价 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
大货 | 请询价 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
产品编号
1239586
CAS 号
12024-21-4
中文名称
氧化镓,99.99%
MDL 号
分子量
187.44
存储条件
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熔点
1740 °C
沸点
闪点
旋光
描述
TPSA
57.53
LogP
-1.9944
H_Acceptors
3
H_Donors
2
Rotatable_Bonds
1
[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.
[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.
[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.
[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.
[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.
警示图
警示词
Warning
危险申明
H302-H315-H319-H335
警告申明
P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P321-P330-P337-P362+P364-P403+P233-P405-P501
GHS 编码
GHS07
现货供应
专业护航
售后无忧
品质保障
无需凑单