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400-821-0725

磷化铟(III)

产品编号: 1182394 纯度:98% CAS:22398-80-7

英文名称:Indium(III)phosphide

规格 目录价格 上海 安徽 武汉 成都 北方 深圳 会员价格 数量
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5g ¥ ūœžžǎȂȂ -- -- -- -- -- -- ¥ ūœžžǎȂȂ - +
10g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +
25g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +
100g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +

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检测信息

  • 基本信息
  • 属性
  • 计算化学
  • 参考文献
  • 安全信息

产品编号

1182394

CAS 号

22398-80-7

英文名称

Indium(III)phosphide

中文名称

磷化铟(III)

英文别称

Indium phosphide

中文别称

磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS)

Smiles Code

[In][P]

MDL 号

MFCD00016153

分子式

InP

分子量

145.79

存储条件

2-8°C, protect from light, stored under nitrogen

纯度

98%

网页展示纯度为入库指导纯度值,各批次间存在一定差异,实际纯度以收货为准

熔点

1070 °C

沸点

闪点

旋光

描述

磷化铟 (III) 因其出色的电子速度而被用于大功率和高频电子设备。它还具有直接带隙,使其可用于激光二极管等光电子设备。它还用作外延砷化铟镓基光电器件的衬底。
展开

TPSA

0

LogP

-0.5904

H_Acceptors

0

H_Donors

0

Rotatable_Bonds

0

[1]. Alberto L D Moreau, et al. Highly-sensitive and label-free indium phosphide biosensor for early phytopathogen diagnosis. Biosens Bioelectron. 2012 Jun-Jul;36(1):62-8.

[2]. Hwa Sub Oh, et al. Structural and optical investigation of GaInP quantum dots according to the growth thickness for the 700 nm light emitters. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Jan;13(1):564-7.

[3]. J S Fandi?o, et al. Integrated InP frequency discriminator for Phase-modulated microwave photonic links. Opt Express. 2013 Feb 11;21(3):3726-36.

[4]. John S Parker, et al. Regrowth-free high-gain InGaAsP/InP active-passive platform via ion implantation. Opt Express. 2012 Aug 27;20(18):19946-55.

[5]. Jongho Lee, et al. Stretchable semiconductor technologies with high areal coverages and strain-limiting behavior: demonstration in high-efficiency dual-junction GaInP/GaAs photovoltaics. Small. 2012 Jun 25;8(12):1851-6.

警示图

警示词

Danger

危险申明

H350-H361-H372

警告申明

P260-P264-P270-P280-P405-P501

GHS 编码

GHS08

历史浏览记录

资源工具

摩尔计算器

质量 (g) = 浓度 (mol/L) × 体积 (L) × 分子量(g/mol)

质量 浓度 体积 分子量 *
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